MATHEMATICAL MODELS FOR MICROWAVE FET

В настоящее время существует огромное количество моделей полевых транзисторов, многие из которых применимы к транзисторам с высокой подвижность электронов (HEMT). В данной работе произведен обзор и классификация существующих моделей СВЧ HEMT-транзисторов. Данный обзор будет полезен инженерам, занимающимся проектированием СВЧ устройств, при выборе типа модели СВЧ транзистора.

Currently there are a huge number of field effect transistors nonlinear models, many of which apply to the High-electron-mobility transistor (HEMT). In this article a review and classification of existing nonlinear models of microwave HEMT is performed. This review will be useful to engineers involved in the design of microwave devices to make the choice of microwave transistor models.