BEHAVIORAL MODEL BUILDING FOR MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT PASSIVE ELEMENTS

В данной работе приводятся результаты построения параметрических электрических моделей элементов СВЧ монолитных интегральных схем. Для построения модели используются два метода – обратного средневзвешенного расстояния и искусственной нейронной сети. Приводятся результаты построения моделей пассивных элементов: тонкопленочного резистора, МДМ конденсатора, квадратной спиральной катушки индуктивности. Проводится сравнение моделей по точности, быстродействию и сложности построения.

In the article results of scalable model building for microwave monolithic integrated circuits elements are presented. The inverse distant weighting and an artificial neural network were used to build models. Behavioral models of thin-film resistor, MIM capacitor, and spiral square inductor were built. Comparison of the models by accuracy, calculation speed and building complexity is presented.